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              臺積電:美國5納米芯片廠已經(jīng)動工開建,3納米明年下半年量產(chǎn)

              來源:搜狐科技


              據(jù)臺媒報道,臺積電投資120億美元在美國亞利桑那州建5納米芯片廠,公司高管周二表示,工廠已經(jīng)開始建設(shè)。此外,下一代3納米技術(shù)正在按計(jì)劃推進(jìn),目標(biāo)是在明年下半年開始量產(chǎn)。

              此前,美國政府提供540億美元補(bǔ)貼芯片企業(yè)赴美建廠計(jì)劃,臺積電、英特爾、三星全部躍躍欲試。最新消息稱,臺積電已投資120億美元在美國亞利桑那州建芯片廠,工廠已經(jīng)開始建設(shè)。臺積電CEO在公司線上年會召開時表示,從2024年開始工廠將會用5納米技術(shù)量產(chǎn)芯片。

              此外,臺積電還表示,繼2020年領(lǐng)先業(yè)界量產(chǎn)5納米(N5)技術(shù),良率提升的速度較前1世代的7納米技術(shù)更快之后,3納米(N3)技術(shù)將于2022年下半年開始量產(chǎn),屆時將成為全球最先進(jìn)的邏輯技術(shù)。N3將憑著可靠的FinFET電晶體架構(gòu),支援最佳的效能、功耗效率以及成本效益,相較于N5技術(shù),其速度增快15%,功耗降低達(dá)30%,邏輯密度增加達(dá)70%。



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