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              中科院2nm芯片——垂直納米環柵晶體管破冰

              來源:搜狐科技?


              近日,中科院對外宣布,中國科學家研發除了新型垂直納米環柵晶體管,這種新型晶體管被視為2nm及一下工藝的主要技術候選。這意味著此項技術成熟后,國產2nm芯片有望成功“破冰”,意義重大。

              目前最為先進的芯片制造技術為7nm+Euv工藝制程,比較出名的就是華為的麒麟990 5G芯片,內置了超過100億個晶體管。麒麟990首次將將5G Modem集成到SoC上,也是全球首款集成5G Soc,技術上的確實現了巨大突破,也是國產芯片里程碑式的意義。

              而繼華為之后,中科院研發出了2nm及以下工藝所需要的新型晶體管——疊層垂直納米環柵晶體管。據悉,早在2016年官方就開始針對此類技術開展相關研究,歷經重重困難,中科院斬獲全球第一,研發出世界上首個具有自對準柵極的疊層垂直納米環柵晶體管。

              同時這一專利還獲得了多項發明專利授權,中科院的這項研究成果意義很大,這種新型垂直納米環柵晶體管被視為2nm及以下工藝的主要技術候選,可能對國產芯片制造有巨大推動作用。如今在美國企業的逼迫下,國產企業推進自主可控已成為主流意識,市場空間將被進一步打開。相信在5年的時間內,在技術方面將實現全面突破。切斷對于華為的技術提供,這將是中國整體研發芯片的一個里程碑式轉折,中國將不再過于依賴美國所提供的相關芯片及其技術。



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